نفیس ها

جزوات آموزشی و تحقیق و گزارش کار

نفیس ها

جزوات آموزشی و تحقیق و گزارش کار

ترجمه مقاله IEEE در مورد بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس

ترجمه مقاله IEEE در مورد بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس


بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس
Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time

چکیده
در این مقاله مقدار مطلوب ناخالصی بیس برای مینیمم کردن زمان گذر بیس ارائه شده است . تاثیر باریکی فواصل نوار انرژی ، تاثیر تزریق قوی ، و سرعت اشباع حامل در لبه ناحیه بیس در پیوند بیس-کلکتور ، و همچنین ناخالصی و قابلیت تحرک وابسته به میدان ، ملاحظه شده است . بیشتر ناخالصی اعم از خطی بودن ، تمرکز نمایی ناخالصی مورد بررسی قرار گرفتند . ما فرم ناخالصی یکنواخت ، نمایی و گوسین را در نظر می گیریم . زمان گذر بیس برای مقدار مطلوب فرم ناخالصی بررسی عددی شده است .

کلمه های کلیدی : زمان گذر بیس ، ترانزیستور دوقطبی پیوندی ، تزریق قوی

تعداد مشاهده: 342 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:.rar

فرمت فایل اصلی: pdf & word

تعداد صفحات: 8

حجم فایل:1,727 کیلوبایت

 قیمت: 20,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • راهنمای استفاده:
    مخصوص دانشجویان ارشد که برای پیشبرد اهداف و پروژه های خود استفاده میکنند و برای دانشجویانی که میخواهند به عنوان پروژه به استاد خود ترجمه تحویل دهند .

  • محتوای فایل دانلودی:
    ترجمه یک مقاله از IEEE به همراه اصل مقاله باکیفیت بالا و درج عکس های مقاله در جای خود

ترجمه مقاله IEEE در مورد یک ترانزیستور جدید با قابلیت کنترل بهره جریان

ترجمه مقاله IEEE در مورد یک ترانزیستور جدید با قابلیت کنترل بهره جریان


چکیده
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور دوقطبی پیوندی براساس تکنولوژی SOI طراحی شده است. این ساختار یک پین اضافی به عنوان گیت دارد .توسط اعمال یک ولتاژ به گیت ، پهنای موثر بیس کنترل می شود ، و این قابلیت باعث کنترل بهره ترانزیستور می شود .این ترانزیستور به طور وسیع با شبیه سازها بررسی شده است . تمام شبیه سازی ها با نرم افزار Silvaco انجام شده است که نشان دهنده افزایش متغیرهای بهره جریان تا ۱۰ برابر می باشد . بهره جریان ترانزیستور بدون هیچ ولتاژ گیتی برابر با ۲۰۰ می باشد ولی با اعمال ولتاژ به گیت به ترانزیستور تا ۲۰۰۰ افزایش می یابد . این قابلیت کاربردهای بالقوه ای مانند میکسرها و بهره های جریان با عملکرد خوبی به ما می دهد . در این مقاله سطح توزیع نفوذ طوری طراحی شده است که به بهترین بهره جریان و هدایت خروجی منجر شود .

کلمه های کلیدی : ترانزیستور دوقطبی ، تکنولوژی SOI ، تاثیر میدانی ، کنترل بهره جریان

تعداد مشاهده: 343 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:.rar

فرمت فایل اصلی: pdf & word

تعداد صفحات: 9

حجم فایل:1,510 کیلوبایت

 قیمت: 20,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • راهنمای استفاده:
    مخصوص دانشجویان ارشد که برای پیشبرد اهداف و پروژه های خود استفاده میکنند و برای دانشجویانی که میخواهند به عنوان پروژه به استاد خود ترجمه تحویل دهند .

  • محتوای فایل دانلودی:
    ترجمه یک مقاله از IEEE به همراه اصل مقاله باکیفیت بالا و درج عکس های مقاله در جای خود